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贴片电感和磁珠的外观区别 磁珠和电感区别( 二 )

区别电感贴片


1.片式电感:电感元件和EMI滤波元件广泛应用于电子设备的PCB电路中 。这些元件包括片式电感器和片式磁珠 。下面介绍这两种设备的特点，并分析它们的常见和特殊应用 。表面贴装元件的优势在于封装尺寸小，能够满足实际空要求 。除了阻抗值、载流能力等类似的物理特性外，通孔连接器和表面贴装器件的其他性能特性基本相同 。当需要片式电感时，要求电感实现以下两个基本功能:电路谐振和扼流圈电抗 。
谐振电路包括谐振产生电路、振荡电路、时钟电路、脉冲电路、波形产生电路等 。谐振电路还包括高q带通滤波器电路 。为了使电路谐振，电容和电感必须同时存在于电路中 。电感两端都存在寄生电容，这是由器件两个电极之间的铁氧体等效于电容介质引起的 。在谐振电路中，电感必须具有高Q、窄电感偏差和稳定的温度系数，才能满足谐振电路窄带和低频温漂的要求 。
高q电路有一个尖锐的谐振峰值 。窄电感偏置确保谐振频率偏差尽可能小 。的稳定温度系数保证了谐振频率具有稳定的温度变化特性 。标准径向引出电感、轴向引出电感和芯片电感的区别仅在于封装不同 。电感的结构包括介质材料(通常为氧化铝陶瓷材料)上的绕组线圈，或空铁芯线圈和铁磁材料上的绕组线圈 。在电力应用中，当用作扼流圈时，电感的主要参数是DC电阻(DCR)、额定电流和低Q值 。当用作滤波器时，需要宽带宽特性，因此不需要电感的高品质特性 。低DCR可以确保最小的电压降 。DCR被定义为没有交流信号的元件的DC电阻 。
2.芯片磁珠:芯片磁珠的作用主要是消除传输线结构(PCB)中存在的射频噪声 。射频能量是叠加在DC传输电平上的交流正弦波分量，而DC分量是需要的有用信号，而射频能量是无用的电磁干扰传输和沿线辐射(EMI) 。为了消除这些不需要的信号能量，芯片磁珠被用作高频电阻(衰减器)，允许DC信号通过并过滤掉交流信号 。通常高频信号在30MHz以上，但低频信号也会受到芯片磁珠的影响 。片式磁珠由软磁铁氧体材料组成，构成高体积电阻率的单片结构 。涡流损耗与铁氧体材料的电阻率成反比 。涡流损耗与信号频率的平方成正比 。
磁珠参数标称值:由于磁珠的单位根据其在某一频率下产生的阻抗是标称的，所以阻抗的单位也是欧姆，一般以100MHz为基准，如2012B601，表示磁珠在100MHz时的阻抗为600欧姆 。额定电流:额定电流是指能保证电路正常运行的允许通过电流 。
【贴片电感和磁珠的外观区别 磁珠和电感区别】首先我们来看看磁珠和电感的区别 。电感是闭环的一个属性，多用于功率滤波环，而磁珠主要用于信号环 。磁珠主要用于EMC对抗中抑制电磁辐射干扰，而电感主要用于这方面抑制导电干扰 。磁珠用于吸收超高频信号 。比如一些射频电路、PLL、振荡器电路以及包含超高频存储器(DDR SDRAM、RAMBUS等)的电路 。)都需要在电源的输入部分添加磁珠 。两者都可以用来处理电磁兼容和电磁干扰问题 。
首先我们来看看磁珠和电感的区别 。电感是闭环的一个属性，多用于功率滤波环，而磁珠主要用于信号环 。磁珠主要用于EMC对抗中抑制电磁辐射干扰，而电感主要用于这方面抑制导电干扰 。磁珠用于吸收超高频信号 。比如一些射频电路、PLL、振荡器电路以及包含超高频存储器(DDR SDRAM、RAMBUS等)的电路 。)都需要在电源的输入部分添加磁珠 。两者都可以用来处理电磁兼容和电磁干扰问题 。
而EMI和EMC电路中磁珠电感关键是抑制高频传导干扰信号，这也具有抑制电感的作用 。但是原则上磁珠可以等效为一个电感，还是有一定区别的，最大的区别就是电感线圈有分布电容 。因此，电感线圈相当于与分布式电容器并联的电感 。如图1所示 。在图1中，LX是电感线圈的等效电感(理想电感)，RX是线圈的等效电阻，CX是电感的分布电容 。
图1电感线圈等效电路图
理论上，为了抑制传导干扰信号，要求抑制电感器的电感越大越好 。但是对于电感线圈来说，电感越大，电感线圈的分布电容就越大，两种功能就会相互抵消 。
图2普通电感线圈阻抗与频率的关系
图2是公共电感器的阻抗和频率之间的关系图 。从图中可以看出，电感器的阻抗最初随着频率的增加而增加，但在其阻抗增加到最大值后，阻抗随着频率的增加而迅速降低，这是由于并联分布式电容器的作用 。当阻抗增大到最大时，是电感线圈的分布电容和等效电感并联谐振的地方 。在图中，L1 > L2 > L3，这表明电感越大，谐振频率越低 。从图2可以看出，如果要抑制频率为1MHZ的干扰信号，选择L1比L3好，因为L3的电感比L1小十倍，所以L3的成本比L1低很多 。

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